high-electron-mobility transistor

См. также в других словарях:

• High Electron Mobility Transistor — HEMT stands for High Electron Mobility Transistor, and is also called heterostructure FET (HFET) or modulation doped FET (MODFET). A HEMT is a field effect transistor incorporating a junction between two materials with different band gaps (i.e. a …   Wikipedia

• High-electron-mobility transistor — Querschnitt eines InGaAs pseudomorphen HEMT Der high electron mobility transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der… …   Deutsch Wikipedia

• high-electron mobility transistor — didelio elektronų judrio tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• High Electron Mobility Transistor — Der High Electron Mobility Transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines JFETs.… …   Deutsch Wikipedia

• Induced high electron mobility transistor — In contrast to a modulation doped HEMT, an induced high electron mobility transistor provides the flexibility to tune different electron densities with a top gate. Since the charge carriers are induced to the 2DEG plane rather than created by… …   Wikipedia

• Electron mobility — This article is about the mobility for electrons and holes in metals and semiconductors. For the general concept, see Electrical mobility. In solid state physics, the electron mobility characterizes how quickly an electron can move through a… …   Wikipedia

• Transistor — For other uses, see Transistor (disambiguation). Assorted discrete transistors. Packages in order from top to bottom: TO 3, TO 126, TO 92, SOT 23 A transistor is a semiconductor device used to amplify and switch electronic signals and power. It… …   Wikipedia

• Transistor à effet de champ — Circuit électronique avec transistor à effet de champ Un transistor à effet de champ (FET pour Field Effect Transistor) est un dispositif semiconducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d utiliser un champ électrique pour… …   Wikipédia en Français

• Transistor de efecto campo — P channel N channel Símbolos esquemáticos para los JFETs canal n y canal p. G=Puerta(Gate), D=Drenador(Drain) y S=Fuente(Source). El transistor de efecto campo (Field Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores… …   Wikipedia Español

• Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit — didelio elektronų judrio tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• transistor à haute mobilité d'électrons — didelio elektronų judrio tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc.… …   Radioelektronikos terminų žodynas